Numărul de produs al producătorului:
IPD15N06S2L64ATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD15N06S2L64ATMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
4268 Piese Noi Originale În Stoc
12800647
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD15N06S2L64ATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
354 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
47W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD15N06
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPD15N06S2L64ATMA2
IPD15N06S2L64ATMA2TR
IPD15N06S2L64ATMA2CT
2156-IPD15N06S2L64ATMA2
SP001063644
IPD15N06S2L64ATMA2DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
BSS138NL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSP123E6327T
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4