Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPD082N10N3GBTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD082N10N3GBTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
RFQ Online
12801226
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD082N10N3GBTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3980 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD082N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPD082N10N3GBTMA1-DG
Fișe tehnice
IPD082N10N3GBTMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPD082N10N3GBTMA1TR
SP000485986
IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD100N10F7
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
5739
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD100N10F7-DG
PREȚ UNIC
1.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD082N10N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
31476
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD082N10N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.82
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
IPD65R950CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3