IPD06P004NSAUMA1
Numărul de produs al producătorului:

IPD06P004NSAUMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPD06P004NSAUMA1-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 16.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

Inventar:

12804343
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPD06P004NSAUMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 710µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-313
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD06P

Informații suplimentare

Alte nume
SP001863518
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IPD900P06NMATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5113
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD900P06NMATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRF3007SPBF

MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK

infineon-technologies

IRF7700TRPBF

MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP

infineon-technologies

IRFR812PBF

MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

infineon-technologies

IRF840PBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB