Numărul de produs al producătorului:
IPD053N06N3GBTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD053N06N3GBTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12848574
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD053N06N3GBTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 58µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD053N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD053N06N3GBTMA1CT
IPD053N06N3 GCT-DG
IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 G-DG
IPD053N06N3G
IPD053N06N3GBTMA1DKR
IPD053N06N3 GTR-DG
IPD053N06N3GBTMA1TR
IPD053N06N3 G
SP000453318
IPD053N06N3 GDKR-DG
IPD053N06N3 GDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDD86540
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
5000
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD86540-DG
PREȚ UNIC
0.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQI5N50CTU
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
FQAF34N25
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
