Numărul de produs al producătorului:
IPD050N03LGBTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD050N03LGBTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12800964
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD050N03LGBTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD050
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000254716
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD050N03LGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
13852
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD050N03LGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPDH6N03LAG
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPB04N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
IPB052N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
