Numărul de produs al producătorului:
IPD031N06L3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD031N06L3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
71024 Piese Noi Originale În Stoc
12803042
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
LQx1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD031N06L3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 93µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD031
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD031N06L3G
IPD031N06L3 GTR-DG
IPD031N06L3 GDKR
IPD031N06L3 G-DG
IPD031N06L3GATMA1TR
IPD031N06L3 GCT-DG
IPD031N06L3 G
IPD031N06L3GATMA1DKR
IPD031N06L3GATMA1CT
SP000451076
IPD031N06L3 GCT
IPD031N06L3 GDKR-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD65R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
