IPC302N15N3X7SA1
Numărul de produs al producătorului:

IPC302N15N3X7SA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPC302N15N3X7SA1-DG

Descriere:

MV POWER MOS
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V Surface Mount Die

Inventar:

12799704
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPC302N15N3X7SA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™ 3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Vgs (Max)
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Die
Pachet / Carcasă
Die
Numărul de bază al produsului
IPC302

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
SP001155560
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPA65R600E6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP

infineon-technologies

BSC032N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON

infineon-technologies

IPB260N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

infineon-technologies

IPA126N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP