Numărul de produs al producătorului:
IPB80N04S2H4-ATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB80N04S2H4-ATMA2-DG
Descriere:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12967927
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB80N04S2H4-ATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
148 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPB80N04S2H4-ATMA2
2156-IPB80N04S2H4-ATMA2
Pachet standard
144
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
Not applicable
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
H5N2901LSTL-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
PMN27XPE115
NEXPERIA PMN27XPE - SMALL SIGNAL
IRFU220BTU
IRFU220 - HEXFET N-CHANNEL POWER
