Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB65R190C6ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB65R190C6ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
RFQ Online
12801035
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
K
k
w
V
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB65R190C6ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
151W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB65R190C6ATMA1-DG
Fișe tehnice
IPB65R190C6ATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPB65R190C6DKR
IPB65R190C6-DG
IPB65R190C6CT-DG
IPB65R190C6ATMA1DKR
IPB65R190C6CT
IPB65R190C6ATMA1CT
IPB65R190C6
IPB65R190C6DKR-DG
IPB65R190C6TR-DG
IPB65R190C6ATMA1TR
IFEINFIPB65R190C6ATMA1
SP000863890
2156-IPB65R190C6ATMA1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB20N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
845
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB20N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB21N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1748
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB21N65M5-DG
PREȚ UNIC
2.31
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB18N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB18N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIHB21N65EF-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
343
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHB21N65EF-GE3-DG
PREȚ UNIC
2.21
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB24NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
949
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB24NM60N-DG
PREȚ UNIC
2.86
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE