Numărul de produs al producătorului:
IPB65R041CFD7ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB65R041CFD7ATMA1-DG
Descriere:
HIGH POWER_NEW
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12950246
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB65R041CFD7ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.24mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4975 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPB65R041CFD7ATMA1TR
SP005413357
448-IPB65R041CFD7ATMA1CT
448-IPB65R041CFD7ATMA1DKR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP65R190CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
BSS123-7
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
DMP2066LSS-13
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
