Numărul de produs al producătorului:
IPB60R099P7ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB60R099P7ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
39 Piese Noi Originale În Stoc
13064148
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB60R099P7ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 530µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1952 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
117W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB60R099
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB60R099P7ATMA1CT
IPB60R099P7ATMA1-ND
SP001664910
2156-IPB60R099P7ATMA1
IPB60R099P7
IPB60R099P7ATMA1TR
IPB60R099P7ATMA1DKR
IFEINFIPB60R099P7ATMA1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU7440PBF
MOSFET N-CH 40V 90A IPAK
IPA65R225C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
