Numărul de produs al producătorului:
IPB45N06S409ATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB45N06S409ATMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
12803944
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB45N06S409ATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 34µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3785 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB45N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPB45N06S409ATMA2
SP001028652
INFINFIPB45N06S409ATMA2
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BUK9612-55B,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
16996
DiGi NUMĂR DE PARTE
BUK9612-55B,118-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB65R280C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
IRF2807Z
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
IPS110N12N3GBKMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3