Numărul de produs al producătorului:
IPB180P04P403ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB180P04P403ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventar:
12801781
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB180P04P403ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
17640 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7-3
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
IPB180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000840202
448-IPB180P04P403ATMA1TR
IPB180P04P403ATMA1-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB180P04P403ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1836
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB180P04P403ATMA2-DG
PREȚ UNIC
1.72
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI11N60C3AAKSA2
MOSFET N-CH I2PAK
BSS138WH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
CSD23382F4T
MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR
