Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB09N03LA
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB09N03LA-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventar:
RFQ Online
13064003
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB09N03LA Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Starea piesei
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1642 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB09N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB09N03LA-DG
Fișe tehnice
IPB09N03LA
Informații suplimentare
Alte nume
IPB09N03LAINCT
IPB09N03LAINTR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN4R3-30BL,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
9945
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN4R3-30BL,118-DG
PREȚ UNIC
0.58
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN017-30BL,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
1868
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN017-30BL,118-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD30N06S4L23ATMA2
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
IPB16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A D2PAK
BSZ300N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
IPL60R085P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON