IPB072N15N3GE8187ATMA1
Numărul de produs al producătorului:

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPB072N15N3GE8187ATMA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventar:

12800424
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPB072N15N3GE8187ATMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5470 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB072N

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Alte nume
IPB072N15N3 G E8187-DG
IPB072N15N3 G E8187TR-DG
IPB072N15N3 G E8187CT
IPB072N15N3 G E8187CT-DG
IPB072N15N3GE8187
IPB072N15N3 G E8187DKR
IPB072N15N3GE8187ATMA1CT
IPB072N15N3 G E8187
IPB072N15N3GE8187ATMA1TR
SP000938816
IPB072N15N3GE8187ATMA1DKR
IPB072N15N3 G E8187DKR-DG
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IPB072N15N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
4910
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB072N15N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
2.99
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPD144N06NGBTMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPD400N06NGBTMA1

MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3

infineon-technologies

BSP373L6327HTSA1

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4

infineon-technologies

IPB03N03LA

MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3