Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB042N10N3GE8187ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
RFQ Online
12842760
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8410 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB042
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPB042N10N3GE8187ATMA1-DG
Fișe tehnice
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPB042N10N3GE8187ATMA1DKR
IPB042N10N3 G E8187TR-DG
IPB042N10N3GE8187
IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187DKR
SP000939332
IPB042N10N3 G E8187CT
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR
IPB042N10N3 G E8187DKR-DG
IPB042N10N3 G E8187-DG
IPB042N10N3 G E8187CT-DG
IPB042N10N3GE8187ATMA1CT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB042N10N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
40835
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB042N10N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.13
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVMFS5C404NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
SI9435DY
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
NTMFS5C604NLT1G
MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN
NTMFS4841NT3G
MOSFET N-CH 30V 8.3A/57A 5DFN