Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPB034N06N3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB034N06N3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
RFQ Online
12800491
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB034N06N3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
IPB034N
Informații suplimentare
Alte nume
IPB034N06N3 GDKR-DG
IPB034N06N3 GTR
IPB034N06N3 GDKR
SP000397990
IPB034N06N3 G
IPB034N06N3GATMA1TR
IPB034N06N3GATMA1DKR
IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3G
IPB034N06N3GATMA1CT
IPB034N06N3 GTR-DG
IPB034N06N3 GCT-DG
IPB034N06N3 G-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB034N06N3GATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB034N06N3GATMA2-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
IPB017N06N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9000
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB017N06N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD30N06S2L13ATMA4
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3