Numărul de produs al producătorului:
IPB027N10N3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB027N10N3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
10675 Piese Noi Originale În Stoc
12803267
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB027N10N3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14800 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB027
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB027N10N3 GCT
IPB027N10N3GATMA1CT
IPB027N10N3 GDKR-DG
IPB027N10N3 G-DG
IPB027N10N3GATMA1DKR
SP000506508
IPB027N10N3G
IPB027N10N3GATMA1TR
IPB027N10N3 G
IPB027N10N3 GTR-DG
IPB027N10N3 GDKR
IPB027N10N3 GCT-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPS135N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
