Numărul de produs al producătorului:
IPB017N10N5ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB017N10N5ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
2821 Piese Noi Originale În Stoc
12800953
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB017N10N5ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 279µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
15600 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
IPB017
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB017N10N5ATMA1CT
IPB017N10N5ATMA1DKR
SP001227028
IPB017N10N5ATMA1TR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB038N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
IPB60R125CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
IPA60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
