Numărul de produs al producătorului:
IPB015N06NF2SATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB015N06NF2SATMA1-DG
Descriere:
TRENCH 40<-<100V
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 37A (Ta), 195A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
691 Piese Noi Originale În Stoc
13002467
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB015N06NF2SATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
StrongIRFET™2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
37A (Ta), 195A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 186µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10500 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IPB015
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP005588948
448-IPB015N06NF2SATMA1DKR
448-IPB015N06NF2SATMA1TR
448-IPB015N06NF2SATMA1CT
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
G900P15T
P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
GT045N10T
N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
EPC7014UBSH
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
