Numărul de produs al producătorului:
IPB014N06NATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB014N06NATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
1884 Piese Noi Originale În Stoc
12800142
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB014N06NATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
34A (Ta), 180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 143µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7800 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
IPB014
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000917408
IPB014N06NDKR-DG
IPB014N06NATMA1DKR
IPB014N06NATMA1CT
IPB014N06NDKR
IPB014N06N
IPB014N06NTR
IPB014N06NTR-DG
IPB014N06NCT
IPB014N06NATMA1TR
IPB014N06NCT-DG
IPB014N06N-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
IPA60R800CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP
IPI072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
