Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPAN70R360P7SXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPAN70R360P7SXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 26.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
RFQ Online
12801398
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPAN70R360P7SXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
517 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
26.5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPAN70
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPAN70R360P7SXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPAN70R360P7SXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPAN70R360P7SXKSA1-DG
448-IPAN70R360P7SXKSA1
SP001682066
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF13NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
672
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF13NM60ND-DG
PREȚ UNIC
1.78
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STFU15N80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
995
DiGi NUMĂR DE PARTE
STFU15N80K5-DG
PREȚ UNIC
2.11
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON