Numărul de produs al producătorului:
IPAN60R650CEXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPAN60R650CEXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 9.9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
12848044
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPAN60R650CEXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
28W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPAN60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001508816
IFEINFIPAN60R650CEXKSA1
2156-IPAN60R650CEXKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQB6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
FDS3692
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
FDMC2674
MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
