Numărul de produs al producătorului:
IPA70R360P7SXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA70R360P7SXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventar:
544 Piese Noi Originale În Stoc
12851486
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA70R360P7SXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
517 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
26.4W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA70R360
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001499698
448-IPA70R360P7SXKSA1
IPA70R360P7SXKSA1-DG
2156-IPA70R360P7SXKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS123LT3G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
MCH6436-TL-E
MOSFET N-CH 30V 6A 6MCPH
FDMC6675BZ
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
