IPA65R225C7
Numărul de produs al producătorului:

IPA65R225C7

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPA65R225C7-DG

Descriere:

IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111

Inventar:

RFQ Online
12946741
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPA65R225C7 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
996 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
29W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-111
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
IPA65R225C7 Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
INFINFIPA65R225C7
2156-IPA65R225C7
Pachet standard
213

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
international-rectifier

IRL7486MTRPBF

IRL7486M - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FQPF3N25

MOSFET N-CH 250V 2.3A TO220F

international-rectifier

AUIRF1405ZL

MOSFET N-CH 55V 150A TO262

fairchild-semiconductor

FQI27N25TU

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK