Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPA60R600P7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA60R600P7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
1 Piese Noi Originale În Stoc
12800571
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA60R600P7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
363 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
21W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA60R600
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPA60R600P7XKSA1-DG
Fișe tehnice
IPA60R600P7XKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
SP001618084
IFEINFIPA60R600P7XKSA1
2156-IPA60R600P7XKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF12N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
366
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF12N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF10NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
553
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF10NM60N-DG
PREȚ UNIC
1.34
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK12A80W,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
40
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK12A80W,S4X-DG
PREȚ UNIC
1.30
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AOTF12N60L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
398
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOTF12N60L-DG
PREȚ UNIC
0.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCPF7N60
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
988
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCPF7N60-DG
PREȚ UNIC
1.08
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3