Numărul de produs al producătorului:
IPA60R360P7SE8228XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA60R360P7SE8228XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
12804421
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA60R360P7SE8228XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
555 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
22W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA60R360
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPA60R360P7SE8228XKSA1
IPA60R360P7SE8228XKSA1-DG
SP002367774
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPA60R360P7SXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3734
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPA60R360P7SXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.43
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL3502STRLPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
IRF6215SPBF
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
IPP80P03P4L04AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3