Numărul de produs al producătorului:
IPA60R230P6XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA60R230P6XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-FP
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 16.8A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
77 Piese Noi Originale În Stoc
12802793
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA60R230P6XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P6
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 530µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA60R230
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001017078
2156-IPA60R230P6XKSA1
INFINFIPA60R230P6XKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD105N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
IRFS4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK