Numărul de produs al producătorului:
IPA60R125CFD7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA60R125CFD7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventar:
12803106
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA60R125CFD7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 390µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1503 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001686034
2156-IPA60R125CFD7XKSA1-448
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK25A60X5,S5X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
1
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK25A60X5,S5X-DG
PREȚ UNIC
2.01
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7534D1
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
IRFH8316TRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN
IRF7831TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
