Numărul de produs al producătorului:
IPA030N10NF2SXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA030N10NF2SXKSA1-DG
Descriere:
TRENCH >=100V PG-TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 83A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventar:
28 Piese Noi Originale În Stoc
12959092
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA030N10NF2SXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
StrongIRFET™ 2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 169µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
41W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP005538815
2156-IPA030N10NF2SXKSA1
448-IPA030N10NF2SXKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUM60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
IPTC012N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
