Numărul de produs al producătorului:
IMZ120R350M1HXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IMZ120R350M1HXKSA1-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Inventar:
253 Piese Noi Originale În Stoc
12801695
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IMZ120R350M1HXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolSiC™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 2A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
182 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4-1
Pachet / Carcasă
TO-247-4
Numărul de bază al produsului
IMZ120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001808378
2156-IMZ120R350M1HXKSA1-448
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7834TR
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
IPB065N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI80N06S207AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
