Numărul de produs al producătorului:
IMZ120R030M1HXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IMZ120R030M1HXKSA1-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Inventar:
159 Piese Noi Originale În Stoc
12802953
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IMZ120R030M1HXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolSiC™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2120 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4-1
Pachet / Carcasă
TO-247-4
Numărul de bază al produsului
IMZ120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1-DG
SP001727394
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFBA1405PPBF
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
IRFH5302TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
IPU60R950C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
