Numărul de produs al producătorului:
IGT60R070D1E8220ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IGT60R070D1E8220ATMA1-DG
Descriere:
GAN HV
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Inventar:
12965871
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IGT60R070D1E8220ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolGaN™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-HSOF-8-3
Pachet / Carcasă
8-PowerSFN
Informații suplimentare
Alte nume
448-IGT60R070D1E8220ATMA1
SP001688772
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IGT60R070D1ATMA4
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3044
DiGi NUMĂR DE PARTE
IGT60R070D1ATMA4-DG
PREȚ UNIC
7.24
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1400DL-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
SI4420BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
SIHG22N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC