Numărul de produs al producătorului:
IGOT60R070D1AUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IGOT60R070D1AUMA1-DG
Descriere:
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-87
Inventar:
12841826
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IGOT60R070D1AUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
CoolGaN™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-DSO-20-87
Pachet / Carcasă
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Numărul de bază al produsului
IGOT60
Fișa de date și documente
Documente de fiabilitate
Fișa de date HTML
Prezentare generală a produsului
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IGOT60R070D1AUMA1DKR
2156-IGOT60R070D1AUMA1-448
IGOT60R070D1AUMA1TR
SP001505772
IGOT60R070D1AUMA1CT
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IGOT60R070D1AUMA3
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1105
DiGi NUMĂR DE PARTE
IGOT60R070D1AUMA3-DG
PREȚ UNIC
8.95
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTMFD4952NFT3G
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
BSB053N03LP G
MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
NVMFS5C450NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
