Numărul de produs al producătorului:
IGOT60R042D1AUMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IGOT60R042D1AUMA2-DG
Descriere:
GANFET N-CH
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V Surface Mount PG-DSO-20-87
Inventar:
12965625
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IGOT60R042D1AUMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-DSO-20-87
Pachet / Carcasă
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Informații suplimentare
Alte nume
SP005557231
448-IGOT60R042D1AUMA2
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS138BWAHZGT106
NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
PJE138K-AU_R1_000A1
SOT-523, MOSFET
R6515KNX3C16
650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
