Numărul de produs al producătorului:
IGLD60R070D1AUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IGLD60R070D1AUMA1-DG
Descriere:
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Inventar:
12838651
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IGLD60R070D1AUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
CoolGaN™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (Max)
-10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
114W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-LSON-8-1
Pachet / Carcasă
8-LDFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
IGLD60
Fișa de date și documente
Documente de fiabilitate
Fișa de date HTML
Prezentare generală a produsului
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001705420
IGLD60R070D1AUMA1DKR
IGLD60R070D1AUMA1TR
2156-IGLD60R070D1AUMA1TR
IGLD60R070D1AUMA1CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IGLD60R070D1AUMA3
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1584
DiGi NUMĂR DE PARTE
IGLD60R070D1AUMA3-DG
PREȚ UNIC
7.39
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDBL86063_F085
MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
FQI34P10TU
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
HUFA75344S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
