Numărul de produs al producătorului:

IAUTN12S5N017ATMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IAUTN12S5N017ATMA1-DG

Descriere:

MOSFET_(120V 300V)

Descriere detaliată:

N-Channel 120 V Surface Mount PG-HSOF-8-1

Inventar:

3185 Piese Noi Originale În Stoc

12991604

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IAUTN12S5N017ATMA1 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

OptiMOS™5

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

120 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

-

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (Max)

-

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

-

Temperatura

-55°C ~ 175°C

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

PG-HSOF-8-1

Pachet / Carcasă

8-PowerSFN

Informații suplimentare

Alte nume

448-IAUTN12S5N017ATMA1DKR

448-IAUTN12S5N017ATMA1CT

SP005629891

448-IAUTN12S5N017ATMA1TR

Pachet standard

2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

IPB95R310PFD7ATMA1

LOW POWER_NEW

infineon-technologies

ISZ810P06LMATMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IAUTN06S5N008ATMA1

MOSFET_)40V 60V)

IPW95R130PFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW