Numărul de produs al producătorului:
IAUT300N08S5N012ATMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IAUT300N08S5N012ATMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventar:
1799 Piese Noi Originale În Stoc
12800365
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
ckx9
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IAUT300N08S5N012ATMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 275µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
231 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
16250 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-HSOF-8-1
Pachet / Carcasă
8-PowerSFN
Numărul de bază al produsului
IAUT300
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IAUT300N08S5N012ATMA2CT
IAUT300N08S5N012CT-DG
IAUT300N08S5N012ATMA2-DG
IAUT300N08S5N012CT
IAUT300N08S5N012
IAUT300N08S5N012DKR-DG
IAUT300N08S5N012DKR
IAUT300N08S5N012ATMA2TR
IAUT300N08S5N012TR-DG
IAUT300N08S5N012TR
IAUT300N08S5N012ATMA2DKR
SP001585160
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI100N12S305AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
IPD60R650CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
IPA60R125C6E8191XKSA1
MOSFET N-CH TO220-3
