Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IAUC60N04S6L045HATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IAUC60N04S6L045HATMA1-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Descriere detaliată:
Mosfet Array 40V 60A (Tj) 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-57
Inventar:
29482 Piese Noi Originale În Stoc
12985675
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IAUC60N04S6L045HATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tj)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 13µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1136pF @ 25V
Putere - Max
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-57
Numărul de bază al produsului
IAUC60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IAUC60N04S6L045HATMA1-DG
Fișe tehnice
IAUC60N04S6L045HATMA1
Informații suplimentare
Alte nume
448-IAUC60N04S6L045HATMA1TR
SP004134514
448-IAUC60N04S6L045HATMA1DKR
448-IAUC60N04S6L045HATMA1CT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
SIC 4N-CH 1200V 150A
UPA2378T1P-E1-A
MOSFET N-CH
SQJB04ELP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
G4953S
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP