Numărul de produs al producătorului:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1-DG
Descriere:
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Inventar:
12996836
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tray
Serie
HybridPACK™
Starea produsului
Active
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V (1.2kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
400A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 240mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1320nC @ 15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
42500pF @ 600V
Putere - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Carcasă
Module
Pachet dispozitiv furnizor
AG-HYBRIDD-2
Numărul de bază al produsului
FS03MR12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-FS03MR12A6MA1LBBPSA1
SP002725554
Pachet standard
6
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPG20N04S409AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
PMDPB95XNE2X
MOSFET 30V
EM6J1T2CR
MOSFET 2P-CH 20V EMT6
