Numărul de produs al producătorului:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
F445MR12W1M1B76BPSA1-DG
Descriere:
SIC 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 25A (Tj) Chassis Mount AG-EASY1B-2
Inventar:
12958859
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
F445MR12W1M1B76BPSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
EasyPACK™ CoolSiC™
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
4 N-Channel (Full Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V (1.2kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tj)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 10mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1840pF @ 800V
Putere - Max
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Carcasă
Module
Pachet dispozitiv furnizor
AG-EASY1B-2
Numărul de bază al produsului
F445MR
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-F445MR12W1M1B76BPSA1
SP005428918
Pachet standard
24
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CAB530M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE
SIL3724A-TP
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A SOT23-6L
MCQ4828-TP
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
