Numărul de produs al producătorului:
BTS282ZAKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BTS282ZAKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Descriere detaliată:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-3
Inventar:
12799776
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BTS282ZAKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
TEMPFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
49 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 240µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Temperature Sensing Diode
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
P-TO220-7-3
Pachet / Carcasă
TO-220-7
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BTS282Z-DG
SP000399016
BTS282Z
2156-BTS282ZAKSA1-IT
INFINFBTS282ZAKSA1
BTS282ZXK
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
BSC061N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
