Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
BTS113AE3045ANTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BTS113AE3045ANTMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 11.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
12847317
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BTS113AE3045ANTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
TEMPFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
BTS113AE3045ANTMA1-DG
Fișe tehnice
BTS113AE3045ANTMA1
Informații suplimentare
Alte nume
BTS113A E3045A-DG
SP000011188
BTS113A E3045A
BTS113AE3045ANTMA1TR
BTS113AE3045AT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFZ14SPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
274
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFZ14SPBF-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRLZ14STRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2043
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLZ14STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRLZ14STRRPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLZ14STRRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFZ14STRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFZ14STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.61
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFZ24PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
357
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFZ24PBF-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCP850N80Z
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
FDN361AN
MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
FDD8778
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6