Numărul de produs al producătorului:
BSZ22DN20NS3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSZ22DN20NS3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
9286 Piese Noi Originale În Stoc
12799722
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSZ22DN20NS3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSDSON-8
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSZ22DN20
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20NS3GTR
2156-BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GDKR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1DKR
SP000781794
BSZ22DN20NS3GDKR
BSZ22DN20NS3GCT-DG
BSZ22DN20NS3GTR-DG
BSZ22DN20NS3GATMA1TR
IFEINFBSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GCT
BSZ22DN20NS3GATMA1CT
BSZ22DN20NS3 G
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB015N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
BUZ31 H3045A
MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK
IPB45P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3