Numărul de produs al producătorului:
BSZ180P03NS3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSZ180P03NS3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 39.6A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
14216 Piese Noi Originale În Stoc
12799247
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSZ180P03NS3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta), 39.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 48µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2220 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSDSON-8
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSZ180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSZ180P03NS3GATMA1TR-DG
BSZ180P03NS3 G-DG
SP000709744
BSZ180P03NS3GATMA1TR
448-BSZ180P03NS3GATMA1CT
448-BSZ180P03NS3GATMA1TR
BSZ180P03NS3 G
448-BSZ180P03NS3GATMA1DKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS126 E6906
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSS139 E6327
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
IAUT200N08S5N023ATMA1
MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
