Numărul de produs al producătorului:
BSZ0904NSIATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSZ0904NSIATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventar:
14991 Piese Noi Originale În Stoc
12824930
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSZ0904NSIATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1463 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Body)
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSDSON-8-FL
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSZ0904
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSZ0904NSIATMA1CT
SP000854390
BSZ0904NSIATMA1DKR
BSZ0904NSIDKR-DG
2156-BSZ0904NSIATMA1TR
BSZ0904NSIATMA1TR
BSZ0904NSITR
BSZ0904NSICT
BSZ0904NSI
BSZ0904NSIDKR
BSZ0904NSICT-DG
BSZ0904NSITR-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3139K-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
SI2305B-TP
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
SI2306-TP
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23
