Numărul de produs al producătorului:
BSZ086P03NS3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSZ086P03NS3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
6668 Piese Noi Originale În Stoc
12856311
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSZ086P03NS3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TSDSON-8
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSZ086
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSZ086P03NS3 G-DG
BSZ086P03NS3 GDKR-DG
BSZ086P03NS3G
BSZ086P03NS3 GCT
BSZ086P03NS3 G
SP000473024
BSZ086P03NS3 GDKR
BSZ086P03NS3GATMA1DKR
BSZ086P03NS3 GTR-DG
BSZ086P03NS3GATMA1TR
BSZ086P03NS3 GCT-DG
BSZ086P03NS3GATMA1CT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTLUS3A18PZCTAG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
NTP6413ANG
MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
SCH1335-TL-H
MOSFET P-CH 12V 2.5A 6SCH