Numărul de produs al producătorului:
BSZ0804LSATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSZ0804LSATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Inventar:
12975911
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSZ0804LSATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™ 5
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8 FL
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
BSZ0804
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
ISZ0804NLSATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7025
DiGi NUMĂR DE PARTE
ISZ0804NLSATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.49
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STWA45N60DM2AG
PTD HIGH VOLTAGE
IRFB11N50APBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
NTD6N40-001
NFET DPAK 400V 1.1R
