Numărul de produs al producătorului:
BSS225H6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS225H6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventar:
12800060
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS225H6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
131 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT89
Pachet / Carcasă
TO-243AA
Numărul de bază al produsului
BSS225
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001195032
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSS225H6327FTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5690
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS225H6327FTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS123L7874XT
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPB80N06S4L05ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPD105N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3