Numărul de produs al producătorului:
BSS192PH6327XTSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS192PH6327XTSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Descriere detaliată:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventar:
12799693
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS192PH6327XTSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
104 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-SOT89
Pachet / Carcasă
TO-243AA
Numărul de bază al produsului
BSS192
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001195030
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
BSS192PH6327FTSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
22508
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSS192PH6327FTSA1-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSO4420T
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IPD50R800CEATMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPD50R280CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
